首尔国立大学团队介绍其二维“栅极堆叠”路线图
首尔国立大学 (SNU) 的一个研究团队宣布了“栅极堆叠”工程的路线图，这是二维晶体管的核心技术。该研究于 2025 年 9 月 11 日发表在《自然电子学》杂志上。
电介质
二维晶体管路线图
众所周知，大多数当代半导体依赖于硅基互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术。过去几十年来，这项技术推动了性能和集成密度的提升。然而，随着技术节点进入亚纳米 (nm) 领域，进一步的微缩越来越受到物理和静电限制。因此，二维 (2D) 半导体作为超越硅的沟道材料
中科院化学所符文鑫AM：新型交联聚合物电介质，实现高温能量存储
随着电子设备和电力系统对高功率能量存储需求的日益增长，聚合物电介质电容器在高温环境下的应用显得尤为关键。然而，现有材料如双向拉伸聚丙烯（BOPP）在高温条件下性能急剧下降，主要源于热激活电荷传输现象导致的传导损耗或极化不足。在混合电动汽车、地下油气勘探和航空航
2025年中国硅电容器行业相关政策、市场规模及趋势分析
近年来，面对国际贸易形势的变化，我国坚持自主发展影响国家战略布局或影响国家经济发展形势的战略性新兴产业，陆续发布政策支持基础元器件、集成电路、5G、国防军工等相关产业的科技创新发展。加强产学研融合，加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度
SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺
数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性，同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介质 (Thick IMD) 工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中，总厚度最高可达到18微
sk 电介质 imd 击穿电压 keyfoundry 2025-09-23 08:16 5
光子的传播属性
问：由前面分析是不是可以这样认为：光子只是记录产生这个光子的激发电磁场的一种形式，它表示的是这个激发电磁场还在传播的信号，即使这个激发电磁场本身已经消失。这个原因应该是因为空间或者真空中存在这个光子得以继续传播的环境：电介质和磁介质，对吗？
这种材料，有望在先进节点取代铜和钨
在先进节点，芯片制造商正逐一淘汰某些金属。尽管钌（ruthenium）衬垫已接近量产准备，但该金属尚未准备好在高度微缩的互连中取代铜。欧洲微电子研究中心（imec）的院士Zsolt Tőkei指出，钌的价格非常昂贵，且当前的制造工艺对此并无助益。此外，大马士革
这类芯片材料，前景光明
芯片制造商正在逐步淘汰先进节点上的金属。虽然钌衬垫已接近量产阶段，但这种金属还不足以取代高度可扩展互连中的铜。钌价格昂贵，目前的制造工艺也无济于事。此外，imec 研究员 Zsolt Tőkei 表示，镶嵌工艺中“过度沉积和抛光”步骤产生的废料量令人担忧。虽然